Research and
development innovation
研發創新
世界領先的多晶硅制造技術
高品質顆粒硅，滿足單晶用料需求
可連續生產，產品無需破碎，不引入二次污染
單套反應器年產能達五千噸、世界先進水平的流化床反應系統
全閉環多晶硅制備技術
世界先進的GCL法多晶硅生產工藝
單套年產能25萬噸、世界先進水平的冷氫化系統
連續直拉單晶（CCz）技術
CCz技術是直拉單晶技術的終極技術，具有連續投料、連續拉晶等特點，與常規RCz直拉單晶工藝相比，該技術單爐產量高達6-10根單晶硅棒，單晶硅棒的電阻率分布更窄。
CCz技術拉制的單晶硅棒電阻率非常集中，在未來的N 型電池市場，CCz 具有明顯的技術優勢
采用連續加料的方式，單爐產量比RCz技術高20%以上，生產成本降低10%。
單套年產能25萬噸、世界先進水平的冷氫化系統
高效多晶鑄錠技術
協鑫科技多晶鑄錠技術始終保持行業標桿地位，先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4四代
高效多晶硅片，每一代硅片產品在客戶端的性能表現始終保持領先地位。
協鑫科技多晶鑄錠技術始終保持行業標桿地位，先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4四代高效多晶硅片，每一代硅片產品在客戶端的性能表現始終保持領先地位。
特有的熱場設計，行業領先的設備設計能力，結合計算機仿真模擬優化技術，高度提升產品品質，保障協鑫科技多晶鑄錠技術的核心競爭力
全新的共摻雜技術投入量產，解決多晶電池片的光衰問題，為PERC等高效電池工藝提供廣闊發展空間，構建了獨具特色的多晶鑄錠技術生態圈
金剛線切片薄片化技術
持續探底硅片的切片線徑，實現工藝突破，降低硅料成本，增加單位出片數量。大尺寸硅片切割技術
升級設備結構、優化產線工藝，以完全匹配M12大硅片加工尺寸的技術要求，實現M12硅片從設備到工藝的全流程開發。
切片加工區域，實現區間可調設計方案，匹配不同尺寸硅棒的切片加工
協鑫科技獨家開發“反切反”大尺寸切片技術，攻克大硅片鋼線切割難度高、硅片精度差、加工良率低的技術難點
通過對大硅片的關鍵配套輔材開發，以提高切割效率，降低切割消耗。
科研基地
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徐州研發中心 -
美國研發中心 -
蘇州研發中心
徐州研發中心
美國研發中心
蘇州研發中心
科研團隊
協鑫科技的科研團隊擁有世界優秀的光伏專家和學者，并形成了以中外專家為科技帶頭人、具有深厚海外研究背景的青年學者為骨干力量、著名高校畢業的博士、碩士為后備力量的三級技術人才梯隊。協鑫科技還將繼續在全球范圍內吸引一流人才，致力于打造世界一流的研發團隊，重視各類研發人員的引進與培養，為研發人員搭建廣闊的成長和發展平臺。
國家地方聯合工程研究中心
國家級博士后科研工作站
江蘇省硅基電子材料重點實驗室
CNAS認證的GCL檢測技術中心
其他技術中心還有：
省石英坩堝工程研究中心 省多晶黑硅片工程技術研究中心 省氯氫化技術工程中心 省多晶硅材料工程技術研究中心 省方硅芯工程技術研究中心
協鑫科技累計申報發明、實用新型專利1100余項，其中授權專利超過650多項，涉及流化床顆粒硅、改良西門子多晶硅生產方法、高效多晶、鑄錠單晶、連續直拉單晶（CCz）、硅片切割工藝等各個技術領域。 多項核心發明專利的授權為GCL的自主知識產權保護提供了有力支持，其中相關科技成果榮獲中國專利獎2項、江蘇省科學技術獎5項
科技交流
協鑫科技與國際、國內一流的大學、研究機構建立和保持長期穩固的合作關系，
通過開展廣泛交流合作，始終保持科技創新的活力。
我們的友好交流及合作單位有：
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中國科學院 -
東南大學 -
清華大學 -
浙江大學 -
武漢大學 -
南京大學
