Research and
development innovation
高品質顆粒硅,滿足單晶用料需求
可連續生產,產品無需破碎,不引入二次污染
單套反應器年產能達五千噸、世界先進水平的流化床反應系統
全閉環多晶硅制備技術
世界先進的GCL法多晶硅生產工藝
單套年產能25萬噸、世界先進水平的冷氫化系統
CCz技術是直拉單晶技術的終極技術,具有連續投料、連續拉晶等特點,與常規RCz直拉單晶工藝相比,該技術單爐產量高達6-10根單晶硅棒,單晶硅棒的電阻率分布更窄。
CCz技術拉制的單晶硅棒電阻率非常集中,在未來的N 型電池市場,CCz 具有明顯的技術優勢
采用連續加料的方式,單爐產量比RCz技術高20%以上,生產成本降低10%。
單套年產能25萬噸、世界先進水平的冷氫化系統
協鑫科技多晶鑄錠技術始終保持行業標桿地位,先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4四代
高效多晶硅片,每一代硅片產品在客戶端的性能表現始終保持領先地位。
協鑫科技多晶鑄錠技術始終保持行業標桿地位,先后推出鑫多晶S1、S2、S3、S4四代高效多晶硅片,每一代硅片產品在客戶端的性能表現始終保持領先地位。
升級設備結構、優化產線工藝,以完全匹配M12大硅片加工尺寸的技術要求,實現M12硅片從設備到工藝的全流程開發。
切片加工區域,實現區間可調設計方案,匹配不同尺寸硅棒的切片加工
協鑫科技獨家開發“反切反”大尺寸切片技術,攻克大硅片鋼線切割難度高、硅片精度差、加工良率低的技術難點
通過對大硅片的關鍵配套輔材開發,以提高切割效率,降低切割消耗。
協鑫科技的科研團隊擁有世界優秀的光伏專家和學者,并形成了以中外專家為科技帶頭人、具有深厚海外研究背景的青年學者為骨干力量、著名高校畢業的博士、碩士為后備力量的三級技術人才梯隊。協鑫科技還將繼續在全球范圍內吸引一流人才,致力于打造世界一流的研發團隊,重視各類研發人員的引進與培養,為研發人員搭建廣闊的成長和發展平臺。
國家地方聯合工程研究中心
國家級博士后科研工作站
江蘇省硅基電子材料重點實驗室
CNAS認證的GCL檢測技術中心
其他技術中心還有:
省石英坩堝工程研究中心 省多晶黑硅片工程技術研究中心 省氯氫化技術工程中心 省多晶硅材料工程技術研究中心 省方硅芯工程技術研究中心
協鑫科技累計申報發明、實用新型專利1100余項,其中授權專利超過650多項,涉及流化床顆粒硅、改良西門子多晶硅生產方法、高效多晶、鑄錠單晶、連續直拉單晶(CCz)、硅片切割工藝等各個技術領域。 多項核心發明專利的授權為GCL的自主知識產權保護提供了有力支持,其中相關科技成果榮獲中國專利獎2項、江蘇省科學技術獎5項
協鑫科技與國際、國內一流的大學、研究機構建立和保持長期穩固的合作關系,
通過開展廣泛交流合作,始終保持科技創新的活力。
我們的友好交流及合作單位有: